Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC


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⬇️ Descrizione

Velocità spettacolare ogni giorno
Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

Energia per tutta la giornata
Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

Più spazio. Massima velocità.
Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.

Condizioni ambientali

  • Intervallo temperatura di funzionamento: 0 - 70 °C
  • Shock di funzionamento: 1500 G

Dati su imballaggio

  • Larghezza imballo: 148 mm
  • Profondità imballo: 100 mm
  • Altezza imballo: 22 mm
  • Peso dell'imballo: 70 g

Dimensioni e peso

  • Larghezza: 80,2 mm
  • Profondità: 2,38 mm
  • Altezza: 80,2 mm
  • Peso: 9 g

Gestione energetica

  • Tensione di esercizio: 3,3 V
  • Consumo di energia (in lettura): 5,5 W
  • Consumo di energia (in scrittura): 4,8 W
  • Consumo energetico (inattivo): 0,06 W
  • Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa): 5 mW

Caratteristiche

  • Capacità SSD: 4 TB
  • Dimensione SSD: M.2
  • Interfaccia: PCI Express 4.0
  • NVMe:
  • Versione di NVMe: 2.0
  • Tipo memoria: V-NAND TLC
  • Componente per: PC
  • criptaggio hardware:
  • Algoritmi di sicurezza supportati: 256-bit AES
  • Dimensioni dell'unità SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
  • Velocità di lettura: 7250 MB/s
  • Velocità di scrittura: 6300 MB/s
  • Lettura casuale (4KB): 1050000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • Scrittura casuale (4KB): 1400000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
  • Supporto di DevSIp (standby del dispositivo):
  • Supporto TRIM:
  • Supporto S.M.A.R.T.:
  • Tempo medio tra guasti (MTBF): 1500000 h

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